HKD-7C接近開關(guān)高頻化

一、簡介

接近開關(guān)HKD-7C提升電控設(shè)備專門用于檢測金屬物體。

電感式接近傳感器本質(zhì)上由振蕩器組成，線圈組成了檢測面，交變磁場在線圈周圍產(chǎn)生。

當一個金屬物體處于傳感器產(chǎn)生的磁場內(nèi)，感應(yīng)電流形成一個附加磁場，阻止線圈磁場交變，振蕩停止。這引起輸出驅(qū)動器動作，按傳感器類型，產(chǎn)生一個常開(NO)或常閉(NC)的輸出信號

電感式接近檢測電感式接近傳感器可以在不接觸金屬物體的情況下進行檢測。它們的應(yīng)用范圍很廣泛，包括：

機器零件的監(jiān)控(凸輪、停止，等等。)

監(jiān)控金屬物體移動，計數(shù)，等等。

感應(yīng)檢測的優(yōu)點不需要直接接觸被檢測物體，因此可防止磨損并且可以檢測易碎和剛被涂色的對象。

工作效率高，快速響應(yīng)。

較強的耐工業(yè)環(huán)境性能(堅固的產(chǎn)品完全封裝在樹脂中)。

固態(tài)技術(shù)：沒有活動部分，因此傳感器的使用壽命與操作循環(huán)次數(shù)無關(guān)。

接近開關(guān)技術(shù)發(fā)展飛快，接近開關(guān)的新技術(shù)不斷涌現(xiàn)，使新型接近開關(guān)更加小型化、高頻化、高效化，滿足了不同電子設(shè)備的需要。決定接近開關(guān)體積的主要因素是電感、變壓器等磁性器件和平滑電容器。

二、接近開關(guān)超小型化技術(shù)的主要措施有:

1、改善元器件本身的性能。目前，供接近開關(guān)使用的元器件獲得長足的發(fā)展，一大批新器件、新材料正被廣泛采用。

2、應(yīng)用組件化技術(shù)。所謂組件化技術(shù)，就是預(yù)先將電源中所需使用的DC-DC變換器、用于諧波電流抑制的功率因數(shù)改善電路、整流平滑電路以及靜噪濾波電路等部分分別制成微型或薄型組件，再根據(jù)用戶需要制作半成品電源，或根據(jù)用戶要求，和交流/直流前端電路配合，構(gòu)成適應(yīng)大功率輸出或多路輸出等用途的系統(tǒng)電源。隨著表面貼裝元器件(SMD)和表面貼裝技術(shù)(SMT)的進一步發(fā)展，組件的裝連密度會更加提高，體積會進一步縮小，電源也會隨之更加小型化。

3、采用軟接近開關(guān)方式。減小元器件體積另一個重要途徑就是提高接近開關(guān)的工作頻率。但 PWM變換器接近開關(guān)頻率提高時，不但有磁損耗，而且電路的損耗也會增大。PWM變換器接近開關(guān)損失較大的原因主要是由于接近開關(guān)器件的通斷都是強制性的。理想情況下，接近開關(guān)器件的電壓、電流波形都是方波。但是，由于接近開關(guān)器件又是非理想的，即開和關(guān)不能瞬時完成，都需要一定的時間，接近開關(guān)器件及與之相連接的元件都可能有些寄生參數(shù)而使接近開關(guān)器件的電壓、電流波形不是方波。因此，在接近開關(guān)過程中，產(chǎn)生了接近開關(guān)器件的電壓、電流波形交登現(xiàn)象，從而產(chǎn)生了接近開關(guān)損失。顯然，隨著頻率的增加，接近開關(guān)損失在全部損失中所占比例也增加。當頻率高到某一數(shù)值時，變換器效率會降低到不能允許的程度。采用軟接近開關(guān)方式可以有效地降低伴隨著高頻化帶來的損耗。軟接近開關(guān)方式包括零電流接近開關(guān)方式、零電壓接近開關(guān)方式及兩者兼用的方式。作為實現(xiàn)這種軟接近開關(guān)方式的手段，有諧振型接近開關(guān)技術(shù)和部分諧振型接近開關(guān)技術(shù)，后者易于實現(xiàn)。